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IRFB7434PBF

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    型号: IRFB7434PBF

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    类别: FET,MOSFET - 单

    封装: TO220AB

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    描述: 封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V, 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.6mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 3.9V @ 250µA 栅极电荷: 324 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 10820 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 294W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®, StrongIRFET™

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    IRFB3004GPBF
    IRFB3004GPBF

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    型号: IRFB3004GPBF

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.75mOhm @ 195A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 4V @ 250µA 栅极电荷: 240 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 9200 pF @ 25 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(最大值): 380W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®

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    IRL40B212
    IRL40B212

    IRL40B212 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: IRL40B212

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.9mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 2.4V @ 150µA 栅极电荷: 137 nC @ 4.5 V 输入电容(最大值): 8320 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 231W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®, StrongIRFET™

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    IRFB7434GPBF
    IRFB7434GPBF

    IRFB7434GPBF 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: IRFB7434GPBF

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220-3

    描述:封装: TO220-3 Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V, 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.6mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 3.9V @ 250µA 栅极电荷: 324 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 10820 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(最大值): 3.1W (Ta), 170W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®

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    IRFB7437GPBF
    IRFB7437GPBF

    IRFB7437GPBF 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: IRFB7437GPBF

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V, 10V 漏源极导通电阻(最大值): 2mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 3.9V @ 150µA 栅极电荷: 225 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 7330 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(最大值): 1W (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®, StrongIRFET™

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    IRFB7430PBF
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    IRFB7430PBF 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: IRFB7430PBF

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V, 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.3mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 3.9V @ 250µA 栅极电荷: 460 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 14240 pF @ 25 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(最大值): 375W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®, StrongIRFET™

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    IRLB3034PBF
    IRLB3034PBF

    IRLB3034PBF 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: IRLB3034PBF

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.7mOhm @ 195A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 2.5V @ 250µA 栅极电荷: 162 nC @ 4.5 V 输入电容(最大值): 10315 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 375W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®

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    ¥10.17450

    IRL40B209
    IRL40B209

    IRL40B209 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: IRL40B209

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.25mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 2.4V @ 250µA 栅极电荷: 270 nC @ 4.5 V 输入电容(最大值): 15140 pF @ 25 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(最大值): 375W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®, StrongIRFET™

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    货期:7天

    包装:管装

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    SPQ:1000

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    ¥37.73750

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    ¥31.69950

    AUIRFB8409
    AUIRFB8409

    AUIRFB8409 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: AUIRFB8409

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.3mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 3.9V @ 250µA 栅极电荷: 450 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 14240 pF @ 25 V FET 功能: Logic Level Gate, 4V Drive 功率耗散(最大值): 375W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®

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    货期:7天

    包装:管装

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    SPQ:1000

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    IRFB3004PBF
    IRFB3004PBF

    IRFB3004PBF 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: IRFB3004PBF

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 漏源极导通电阻(最大值): 1.75mOhm @ 195A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 4V @ 250µA 栅极电荷: 240 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 9200 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 380W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®

    原厂交期:-

    查丝印 对比

    库存:797

    货期:7天

    包装:管装

    批次:20+

    SPQ:50

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    AUIRFB8407
    AUIRFB8407

    AUIRFB8407 非PIN TO PIN 相似度99%

    型号: AUIRFB8407

    品牌: INFINEON(英飞凌)

    封装:TO220AB

    描述:封装: TO220AB Vgs(最大值): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 195A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 漏源极导通电阻(最大值): 2mOhm @ 100A, 10V 栅源极阈值电压(最大值): 4V @ 150µA 栅极电荷: 225 nC @ 10 V 输入电容(最大值): 7.33 pF @ 25 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(最大值): 230W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®

    原厂交期:-

    查丝印 对比

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    货期:7天

    包装:管装

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    SPQ:1000

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