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首页 > EEPROM > GD25LQ256DWIGR 更新时间:2022-04-22 11:57:37
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GD25LQ256DWIGR

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    型号: GD25LQ256DWIGR

    品牌: GD(兆易创新)

    类别: EEPROM

    封装: 8-WDFN Exposed Pad

    查丝印

    量产: 量产中

    量产时间: 待更新

    原厂交期: -

    描述: 存储器类型: Non-Volatile 存储容量: 256Mb (32M x 8) 时钟频率: 120MHz 写周期时间 - 字,页: 2.4ms 存储器接口: SPI - Quad I/O 电压 - 电源: 1.65 V ~ 2 V 封装: 8-WDFN Exposed Pad

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    库存量:3000 (pcs)

    货期: 当日发货
    包装: 编带
    批次: 19+,20+

    价格梯度(含税13%)

    1+

    100+

    500+

    ¥21.18750

    ¥19.77500

    ¥18.36250

     
    SPQ:3000
    数量:
    小计: 21.18750
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    品牌:
    全部 GD(兆易创新)
    国别/地区:
    全部 中国
    综合排序: 价格
    GD25LQ64CWIGR
    GD25LQ64CWIGR

    GD25LQ64CWIGR 国产 相似度99%

    型号: GD25LQ64CWIGR

    品牌: GD(兆易创新)

    封装:8-WDFN Exposed Pad

    描述:存储器类型: Non-Volatile 存储容量: 64Mb (8M x 8) 时钟频率: 120MHz 写周期时间 - 字,页: 2.4ms 存储器接口: SPI - Quad I/O 电压 - 电源: 1.65 V ~ 2 V 封装: 8-WDFN Exposed Pad

    原厂交期:-

    查丝印 对比

    库存:82

    货期:当日发货

    包装:编带

    批次:20+

    SPQ:3000

    价格梯度参考(含税13%)

    1+

    100+

    500+

    ¥8.47500

    ¥7.91000

    ¥7.34500

    GD25LQ32DNIGR
    GD25LQ32DNIGR

    GD25LQ32DNIGR 国产 相似度44%

    型号: GD25LQ32DNIGR

    品牌: GD(兆易创新)

    封装:8-UDFN Exposed Pad

    描述:存储器类型: Non-Volatile 存储容量: 32Mb (4M x 8) 时钟频率: 120MHz 写周期时间 - 字,页: 2.4ms 存储器接口: SPI - Quad I/O 电压 - 电源: 1.65 V ~ 2 V 封装: 8-UDFN Exposed Pad

    原厂交期:-

    查丝印 对比

    库存:10

    货期:当日发货

    包装:编带

    批次:20+

    SPQ:3000

    价格梯度参考(含税13%)

    1+

    100+

    500+

    ¥4.57650

    ¥4.27140

    ¥3.96630

    对比

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